UA conquista maior prémio mundial na área de Técnicas de RF e Microondas

Uma equipa do Instituto de Telecomunicações (IT) da Universidade de Aveiro (UA) conquistou o IEEE 2024 Microwave Prize, o mais prestigiado prémio internacional atribuído a uma publicação na área de Técnicas de RF e Microondas. Atribuído pela IEEE Microwave Theory and Technology Society o galardão foi entregue no Annual Society Awards Banquet.

“Este é o mais prestigiado prémio atribuído a uma publicação científica na área da sociedade do IEEE Microwave Theory and Technology Society, dado que se destina a galardoar o melhor artigo publicado num determinado ano pela revista IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, a mais antiga e conceituada revista da área de tecnologias de Rádio Frequência e Microondas”, congratula-se José Carlos Pedro, um dos investigadores que assina o artigo premiado.

“Resultado de um escrutínio muito apertado, o prémio enche naturalmente de orgulho qualquer equipa vencedora. Tendo o grupo de Circuitos de Rádio-Frequência do IT-UA sido já contemplado com outros reconhecimentos públicos internacionais, por várias outras suas publicações, o IEEE Microwave Prize tem um significado muito especial, dado que o projeta para o topo das equipas de investigação na área a nível mundial”, sublinha o investigador.

O artigo galardoado tem por título "The Impact of Long-Term Memory Effects on the Linearizability of GaN HEMT-Based Power Amplifiers" e tem como autores João L. Gomes, Luís C. Nunes, Filipe M. Barradas, e José C. Pedro, do IT-UA, e Adam Cooman, Aryan E. F. de Jong e Rob M. Heeres, da multinacional Ampleon, AB, sediada nos Países Baixos, e foi publicado no número de fevereiro de 2022 da revista IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques.

O trabalho descreve a solução que a equipa do IT-UA encontrou para o enigma que lhe havia sido colocado pela referida empresa do porquê da distinta linearizabilidade apresentada por duas gerações de transístores de microondas de potência, baseados na moderna tecnologia de transístores de efeito de campo de hétero-junção AlGaN/GaN de eletrões de alta mobilidade, GaN HEMTs.

Estas duas gerações, supostamente idênticas em tudo, exceto num pequeno pormenor de fabrico, mostrando iguais características de distorção não-linear, não deviam, por isso, apresentar distintos níveis de correção, quando sujeitos a pré-distorção.

Suportada num conhecimento multidisciplinar que vai desde a Física de Semicondutores à Engenharia Eletrotécnica, que lhe permitiu perceber quer os mecanismos de operação deste tipo de dispositivos quer o projeto de amplificadores de potência de RF, a equipa do IT-UA demonstrou que, afetados por defeitos de estrutura do GaN, de diferentes energias de ativação, os transístores apresentam defeitos com distintas velocidades de emissão de eletrões previamente capturados (long-term memory effects), o que lhes confere distintas capacidades de compensação da distorção não-linear (linearizability) em operação a quente, isto é, à potência nominal, ainda que, à temperatura ambiente possam apresentar comportamentos indistinguíveis.